1982 г.

  1. Гриднев С.А., Даринский Б.М., Кудряш В.И., Прасолов Б.Н., Шувалов Л.А. Внутреннее трение в KH3(SeO3)2 в процессе переключения // ФТТ, 1982, т.24, N 1, с. 217-221.
  2. Гриднев С.А., Конобеев В.В. Особенности низкочастотного внутреннего трения в нематическом жидком кристалле ПАА // Кристаллография, 1982, т. 27, вып.2, с. 397-399.
  3. Анисимова В.Н., Баранов А.И., Гриднев С.А., Прасолов Б.Н., Шувалов Л.А. Сравнение чувствительности кристалла KH3(SeO3)2 к воздействию рентгеновского и g -излучений // Кристаллография, 1982, т. 27, вып.4, с. 800-802.
  4. Gridnev S.A., Darinskii B.M., Netchaev V.N. Influence of electron conductivity on internal friction of semiconductive barium titanate // Ferroelectrics, 1982, v. 46, N 1/2 , p. 5-11.
  5. Бондаренко В.В., Гриднев С.А., Шувалов Л.А. Исследование сегнетоэластического фазового перехода в кристаллах NaH3(SeO3)2 методом низкочастотного внутреннего трения / В кн.: Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. - Калинин, 1982, с. 10-13.
  6. Гриднев С.А., Дронов И.А. Упругие свойства барий-натриевого ниобата / В кн.: Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. - Калинин, 1982, с. 35-39.
  7. Гриднев С.А., Бармина Н.В., Павлова Н.Г., Парфенова Н.Н., Смирнова Е.П. Твердые растворы на основе метаниобата свинца-бария // Изв. АН СССР, сер. Неорг. матер., 1982, т. 18, N 10, с. 1632-1635.
  8. Гриднев С.А., Прасолов Б.Н., Даринский Б.М. Механизм низкочастотных потерь в несобственном сегнетоэлектрике Gd2(MoO4)3 / В кн.: Внутреннее трение в металлах и неорганических материалах. - М.: Наука, 1982, с. 175-180.
  9. Гриднев С.А., Даринский Б.М., Нечаев В.Н., Попов В.М. Механизм низкочастотных диэлектрических потерь вблизи точек фазовых переходов 2-го рода / В кн.: Диэлектрики и полупроводники. - Киев: Вища школа, 1982, с. 3-6.
© 2013 Лаборатория сегнетоэлектриков

Все права защищены! Ура!
Hosted by uCoz